STM32内部Flash

一、内部Flash简介

二、内部Flash构成

1. 主存储器

2. 系统存储区

3. 选项字节

三、内部Flash写入过程

1. 解锁

2. 页擦除

3. 写入数据

四、工程空间分布

某工程的ROM存储器分布映像：

1. 程序ROM的加载与执行空间

2. ROM空间分布表

一、内部Flash简介

STM32芯片内部有一个Flash存储器，主要用于存储代码，我们在电脑上编写好应用程序后，使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部Flash中。由于Flash存储器的内容在掉电后不会丢失，芯片重新上电复位后，内核可从内部Flash中加载代码并运行。由于访问内部Flash的速度要比外部的SPI-Flash快得多，所以在紧急状态下常常会使用内部Flash存储关键记录。

二、内部Flash构成

1. 主存储器

一般说STM32内部Flash的时候，都是指主存储器区域，它是存储用户应用程序的空间，芯片型号说明中的256k Flash、 512k Flash都是指这个区域的大小。

主存储器分为256页，每页大小为2KB，共512KB。这个分页的概念，实质就是Flash存储器的扇区，与其他Flash一样，在写入数据前，要先按页（扇区）擦除。主存储器的页数量、页大小根据芯片型号均有不同。

2. 系统存储区

该区域用户无法访问，它在芯片出厂时已经固化了启动代码，它负责实现串口、USB以及CAN等ISP烧录功能。

3. 选项字节

选项字节用于配置Flash的读写保护、待机/停机复位、软件/硬件看门狗等功能，这部分共16字节。可以通过修改Flash的选项控制寄存器修改。

三、内部Flash写入过程

1. 解锁

由于内部Flash空间主要存储的是应用程序，是非常关键的数据，为了防止因误操作修改了这些内容，芯片复位后默认会给控制寄存器Flash_CR上锁，这时不允许设置Flash的控制寄存器，从而不能修改Flash中的内容。所以对Flash写入数据前，需要先给它解锁。

2. 页擦除

在写入新的数据前，需要先擦除存储区域，STM32提供了页（扇区）擦除指令和整个Flash擦除（批量擦除）的指令，以批量擦除仅针对主存储区的指令。

3. 写入数据

擦除完毕后即可写入数据，写入数据的过程并不是仅仅使用指针向地址赋值，赋值前还需要配置一系列的寄存器。

四、工程空间分布

由于内部Flash本身存储程序数据，若不是有意删除某段程序代码，一般不应修改程序空间的内容。所以在使用内部Flash存储其他数据前，需要了解哪一些空间己经写入了程序代码，存储了程序代码的扇区都不应做任何修改。

通过查询应用程序编译时产生的 “ *.map ” 后缀文件，可以了解程序存储到了哪些区域。

某工程的ROM存储器分布映像：

1. 程序ROM的加载与执行空间

两段分别以 “ Load Region LR_ROM1 ” 及 “ Execution Region ER_IROM1 ” 开头的内容，分别描述程序的 加载及执行空间。

在芯片刚上电运行时，会加载程序及数据，例如它会从程序的存储区域加载到程序的执行区域，还把一些已初始化的全局变量从ROM复制到RAM空间，以便程序运行时可以修改变量的内容。

加载完成后，程序开始从执行区域开始执行。在map文件中，加载及执行空间的基地址（Base）都是 0x08000000，它正好是 STM32内部Flash的首地址，即 STM32的 程序存储空间直接就是执行空间。它们的大小（Size）分别为0x000014c4及0x000014b4。