【电机控制器】FM33LF015芯片—

【电机控制器】FM33LF015芯片——FLASH模拟EEPROM

【电机控制器】FM33LF015芯片——FLASH模拟EEPROM

文章目录

@[TOC](文章目录)

前言
一、概述
二、代码
三、实验
四、参考资料
总结

前言

使用工具：
1.ARM仿真器/J-OBV2仿真器

在这里插入图片描述

提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考

一、概述

在这里插入图片描述

二、代码

#define FLASH_PROG_ADDR         0x00004000
#define PAGE_BUFFER_SIZE    128
#define SECTOR_BUFFER_SIZE    512
/* Page大小为512字节 即128个字 */
/* 32位=32bit=4byte，1byte=4bit */
/* PageDataBuffer[128]数组有128个元素，每个元素占用4个byte，即4个字节 */
/* 1byte占用8位 */
uint32_t PageDataBuffer[PAGE_BUFFER_SIZE];
/* Sector大小为2048字节 即512个字 */
uint32_t SectorDataBuffer[SECTOR_BUFFER_SIZE];
uint32_t ReadData;
void FlashRW(void)
{FL_FLASH_PageErase(FLASH, FLASH_PROG_ADDR);memset(PageDataBuffer, 0x55, PAGE_BUFFER_SIZE * 4);FL_FLASH_Program_Word(FLASH, FLASH_PROG_ADDR, PageDataBuffer[0]);ReadData = *((uint32_t *)FLASH_PROG_ADDR);//将flash数据读出//    FL_FLASH_PageErase(FLASH, FLASH_PROG_ADDR);
//    memset(PageDataBuffer, 0xAA, PAGE_BUFFER_SIZE * 4);
//    FL_FLASH_Program_Page(FLASH, FLASH_PROG_ADDR / FL_FLASH_PGAE_SIZE_BYTE, PageDataBuffer);
//    ReadData = *((uint32_t *)FLASH_PROG_ADDR);//将flash数据读出//    FL_FLASH_SectorErase(FLASH, FLASH_PROG_ADDR);
//    memset(SectorDataBuffer, 0x00, SECTOR_BUFFER_SIZE * 4);
//    FL_FLASH_Program_Sector(FLASH, FLASH_PROG_ADDR / FL_FLASH_SECTOR_SIZE_BYTE, SectorDataBuffer);
//    ReadData = *((uint32_t *)FLASH_PROG_ADDR);//将flash数据读出//FL_FLASH_SectorErase(FLASH, FLASH_PROG_ADDR);
}

三、实验

写两个字节，0x55，掉电后重新上电，仍然是2个字节的0x55
这里的地址和芯片手册没有对上，芯片手册是0x00040000，试了一下没有成功
反而是0x00004000是可以的
后续我在bootswap章节中看到了对于IF3的描述是最低word 00004000地址和实验结论相符
在这里插入图片描述
用连续写word的方式，写入8个Word，即4个byte，4个字节，32个bit