一、RGW 650V场终止沟槽型IGBT
RGW 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装,具有低集电极-发射极饱和电压。RGW IGBT具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。ROHM RGW 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。
1、RGW50TK65GVC11 RGW 650V场终止沟槽型IGBT 30A TO3PFM
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,25A
功率 - 最大值:67 W
开关能量:390µJ(开),430µJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:73 nC
25°C 时 Td(开/关)值:35ns/102ns
测试条件:400V,25A,10欧姆,15V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3
2、RGWS00TS65DGC13 IGBT 沟槽型场截止 650V 88A TO247G
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):88 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A
功率 - 最大值:245 W
开关能量:980µJ(开),910µJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:108 nC
25°C 时 Td(开/关)值:46ns/145ns
测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):88 ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
RGCL80TS60GC11、RGWS00TS65DGC13、RGW50TK65GVC11场终止沟槽型IGBT 明佳达
二、RGCL80TS60 IGBT 600V 65A TO247N
RGCL80TS60GC11 600V 场截止沟槽式IGBT是节能、高效的IGBT,具有较低的集电极和发射极饱和电压、耐受时间的短路以及内置的快速软恢复FRD。场截止沟槽式IGBT是UPS、功率调节器、焊机和工业用通用逆变器的理想选择。
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):65 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,40A
功率 - 最大值:148 W
开关能量:1.11mJ(开),1.68mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:98 nC
25°C 时 Td(开/关)值:53ns/227ns
测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:TO-247N
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