DDR原理详解

存储器主要分为只读存储器 ROM 和随机存取存储器 RAM两大类。

ROM：只读存储器 ROM 所存数据，一般是装入整机前事先写好的,整机工作过程中只能读出，ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变。

RAM：随机存取存储器RAM 是与 CPU 直接交换数据的内部存储器，它可以随时读写，速度快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介，当电源关闭时 RAM 不能保留数据。

DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输 DDR SDRAM在 SDRAM 的基础上发展而来，这种改进型的 DRAM和 SDRAM 是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了，也是目前电脑中用得最多的内存，而且具有成本优势。DDR 已经发展至今已经进化到 DDR5，与 DDR4相比，DDR5 在强大的封装中带来了全新的架构。

从内存控制器到内存颗粒内部逻辑，笼统上讲从大到小为：channel＞DIMM＞rank＞chip＞bank＞row/column，如下图：

对于DDR可以按照如下层次来区别：

一个DDR有多个内存通道，每个通道可以插若干个DIMM，而每个DIMM上有至少一个以上的RANK，每个RANK由若干个内存芯片组成，这些芯片可能是4/8/16bit的，他们组合的原则就是将位宽凑齐至通道位宽（64bit）。

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接下来，我们来看一下RANK和CHIP里面有什么：

这是DDR3一个Rank的示意图。我们把左边128MB Chip拆开来看，它是由8个Bank组成，每个Bank核心是个一个存储矩阵，就像一个大方格子阵。这个格子阵有很多列（Column）和很多行（Row），这样我们想存取某个格子，只需要告知是哪一行哪一列就行了，这也是为什么内存可以随机存取而硬盘等则是按块存取的原因。

实际上每个格子的存储宽度是内存颗粒（Chip）的位宽，在这里由8个Chip组成一个Rank，而CPU寻址宽度是64bit,所以64/8=8bit，即每个格子是1个字节。选择每个格子也不是简单的两组信号，是由一系列信号组成

DDR工作原理

了解了DDR的基本组成后，我们来看看DDR如何来完成一次的读写过程。如下图所示，DRAM 的相关操作在内部大概可以分为以下的四个阶段：

• command transport and decode: 在这个阶段，Host 端会通过 Command Bus 和 Address Bus 将具体的 Command 以及相应参数传递给 DRAM。DRAM 接收并解析 Command，接着驱动内部模块进行相应的操作。其中会根据将addr bus上的数据解码成对应的row address和通过bank control解码后得到对应的bank，其次对应的column也会解码得到对应的地址

• in bank data movement: 在这个阶段，第一阶段发送需要读取的 Column 的地址给 DRAM。然后 DRAM 再将 Active Command 所选中的 Row 中，DRAM 就将 Memory Array 中的数据从 DRAM Cells 中读出到 Sense Amplifiers，或者将数据从 Sense Amplifiers 写入到 DRAM Cells。

• in device data movement: 这个阶段中，数据将通过 IO 电路缓存到 Read Latchs 或者通过 IO 电路和 Write Drivers 更新到 Sense Amplifiers。

• system data transport: 在这个阶段，进行读数据操作时，SDRAM 会将数据输出到数据总线上，进行写数据操作时，则是 Host 端的 Controller 将数据输出到总线上。

在上述的四个阶段中，每个阶段都会有一定的耗时，例如数据从 DRAM Cells 搬运到 Read Latchs 的操作需要一定的时间，因此在一个具体的操作需要按照一定时序进行。同时，由于内部的一些部件可能会被多个操作使用，例如读数据和写数据都需要用到部分 IO 电路，因此多个不同的操作通常不能同时进行，也需要遵守一定的时序。此外，某些操作会消耗很大的电流，为了满足 SDRAM 设计上的功耗指标，可能会限制某一些操作的执行频率。

会消耗很大的电流，为了满足 SDRAM 设计上的功耗指标，可能会限制某一些操作的执行频率。