文章目录
- 存取周期
- 总览
- 双端口RAM
- 多体并行存储器
- 低地址交叉编址有多少个存储体合适（体号）
- 多模块存储器（多体存储器）
- 总结
- 实际场景
存取周期
总览
双端口RAM
RAM：用于主存或高速缓存，断电数据丢失
多体并行存储器
读某个存储芯片时候，因为一个存取周期内只能存取一个单元的数据，但如果是不同存储芯片，则可以实现存取本存储芯片的单元数据，同时开始存取下一个存储芯片某个单元的数据
根据地址译码的方式不同，可以实现同一个存储芯片但地址不相邻的情况
低位交叉编址对应的连续取n个存储字：nr+T-r
低地址交叉编址有多少个存储体合适（体号）
低地址交叉编址的存取可以理解为一个流水线工作，宏观来看是同时做好的，即并行，但微观来看其实是按次序来做的，即串行
宏观上m体交叉存储器由于在一个存取周期内可以取m个存储字的数据
为了保证效率和成本，选用m=T/r的值作为存储体的个数
给定一个地址x，确定它属于第几个存储体
- 可以通过体号判断
- 可以通过对m取余
多模块存储器（多体存储器）
单体多字存储器：一次能读取m个字，且地址一次能读取存储单元的个数固定
总结
高位交叉编址：相当于扩容（多了些存储单元）
实际场景
同一块卡槽的橙色和绿色代表高位交叉编址
不同卡槽的橙色和橙色代表低位交叉编址
相同主频即相同存取周期，相同容量使得都为多体存储
若主频不同，CPU会降频到低频，若容量不同，则部分区域为单体存储
16GB被分为两个内存条构成了低位交叉编址
