一群中国芯片技术小球的奋斗故事系列:“中科融合的AI-3D芯片追赶美国德州仪器DLP技术之产业和技术初探-part III”

引子

2023年初春,冬雪未化,ChatGPT和GPT4一声惊雷,以颠覆的表现震惊全球,被称之为AI的“iPhone时刻”。微软全线产品迅速导入,生产力工具与搜索,经过了30年,再次分久必合!全世界人民见证了一次活生生的“科技原子弹爆炸”,自己的饭碗都要被砸了,能不慌吗?这一轮AI技术的第二波巨浪袭来,或者被拍在沙滩上,或者成为冲在浪尖的幸运儿。

中科融合处在一个幸运的时代,中国未来数十年,硬科技企业既是国家战略需要,也是资本和创业团队的新金矿,这已经成为共识。

但是,我们第一步就立了个大flag,做TI DLP芯片的国产替代,这是发明了集成电路的巨人德州仪器的明星技术。投资人灵魂拷问,这么一个伟大的企业,他要做你的技术路线,会不会分分钟碾压你?

答案不难,因为“新技术”的底层规律和核心技术所需时间,对于TI和中科融合是平等,并且难以逾越的。并且,因为“AI”的爆发,带来了“游击队员掌握原子弹”的后发优势。

历史永远是惊人的相似。中国互联网时代的巅峰期,每一个创业者,都会被投资人问一个触及灵魂的问题,你这件事,如果BAT做,你怎么办?中国硬科技创业的起步阶段,每一个创业者,同样会被投资人问一个触及灵魂的问题,你这件事,如果华为做,你怎么办?

不同时间点,不同技术领域,不同商业场景,千变万化。然而,深入探寻。所有的成功,都有一个第一性原理需要遵从,不可逾越。就像人需要空气和水,在地球上跳起来,会因为引力而落回地下。简单,但是牢不可破。

互联网和移动互联网企业,成功的第一性原理,是梅特卡夫定律(另辟专题)。也就是网络的“互联”价值,随着网络规模和连接质量提升,形成巨大的滚雪球和垄断效应。互联网平台企业成功的第一推动力,在于“领导者”,在于领导者的“资本聚集力”和“地推执行力”。

硬科技企业,成功的第一性原理,是“规律”和“时间”。物理、化学和数学,“规律”不可更改,在美国人和中国人的手上是一样的,在德州仪器和中科融合也是一样的。“时间”不可压缩,相同工艺生长氧化硅,在德州仪器总部达拉斯是几个小时,在苏州还是这么几个小时。

所以,为什么过了36年,DLP的分辨率从VGA做到了4K,但是芯片反而越做越大?为什么MEMS微镜技术,就可以在实现相同分辨率的前提下,可以做的更小?中科融合或者和像我们一样的中国硬科技企业,为什么还有机会?

介绍:来自于中学物理的MEMS微镜驱动力工作原理

上一期对于DLP技术进行了原理简介,TI独门秘技就是基于MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System)的振镜阵列DMD技术。(一群中国芯片技术小球的奋斗故事系列:“中科融合的‘AI-3D芯片’追赶美国德州仪器DLP技术之产业和技术初探-part II” - 知乎)

标微米尺度的微小镜面可以通过两个不同角度翻转,实现光束出射(ON)或者被吸收(OFF)题

DLP基于半导体工艺的微机电系统MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System)技术,通过其数以百万计的微镜阵列(DMD)以及每秒高达上万次的切换速度,可灵活地进行光的操控,而图像电学信号,通过芯片实现光学图像控制,第一个关键步骤就是,图像信号到运动控制信号。

无论是显示投影,还是光学3D光栅,首先需要把特定的图像信号,转化成为MEMS芯片的控制信号。图像信号包含分辨率,比如1920*1080;颜色,比如RGB和白色;光强,比如8位代表256档光强。

这些原始的数字控制0和1,是如何转化成为微镜的机械运动的控制信号呢?

MEMS光学微镜芯片能够实现微纳米尺度的微观运动,驱动包括电磁,静电,压电和热电等多种方式,其中目前大规模量产的微镜芯片,主要通过电磁和静电两种方式实现驱动。电磁和静电驱动的原理,我们在中学物理课中学到过。就是外加磁场对运动电荷产生力的作用,这种力称之为电磁洛伦兹力。当电荷和电荷之间发生作用,产生静电库仑力。

标题当导线中存在电流流动,运动的电荷在外磁场作用下,会遵循左手定则产生洛伦兹力
两个电荷之间存在相互排斥和吸引的作用力,称之为库仑力,相同电荷之间为排斥,不同电荷之间为吸引标题

 洛伦兹力是运动的电荷在外磁场作用下的微观表现,当一根导线或者线圈通电后,全体运动的电荷的洛伦兹力,会产生一个集体作用的合力,这种合力称之为安培力,通电导线或者线圈,就会在安培力的作用下,形成对应方向的运动。如果通过改变导线或线圈的电流方向,就会改变安培力的方向,导线或者线圈的运动方向会随之改变。库仑力是粒子带电后,电场作用下,产生的吸引或者排斥的作用力。异性相吸,同性相斥。

德州仪器的DMD芯片,意法半导体的MEMS微镜芯片采用了静电驱动力,中科融合,日本滨松,美国Microvision采用了电磁驱动力。

MEMS微镜芯片静电和电磁驱动原理比较

MEMS微振镜芯片技术,与DMD MEMS芯片相比,可以说是第二代光学MEMS技术的发展延伸。早期用于光通讯的开关阵列,实现不同信道之间的高速光信号转换,通过多个MEMS微镜芯片的阵列,实现输入和输出数据信道之间的高带宽信号控制。这项技术近期在Google和华为的高速光通讯数据中心中,也有大量报道。

标题两个多路的光通讯矩阵,通过两个微振镜阵列实现信道的高带宽激光信号的控制

电磁MEMS微振镜芯片驱动,基于前述的洛伦兹力驱动。如图所示,微镜芯片跟随一根单晶硅轴运动,而单晶硅支撑轴,与一个电流线圈相连。支撑轴和线圈都已经悬空,可以在上下方向摆动。当线圈中的电流方向改变,外加磁场会产生一个对于线圈的扭矩。

标题电磁驱动的MEMS微振镜,一块永磁铁放在底部,线圈的两个方向电流在洛伦兹力作用下,带动微镜运动

静电MEMS微振镜芯片驱动,基于前述的库仑力驱动。如图所示,微镜芯片或者是作为一个运动的电极极板,或者跟随一根单晶硅轴运动,而单晶硅支撑轴通过梳齿结构形成一个运动的电极极板。支撑轴和运动极板,可以在上下方向摆动。当电极被充电到不同极性的电荷,两个极板之间会形成吸引或者排斥的扭矩。

标静电驱动的MEMS微振镜,平板电容结构和梳齿式结构题

电磁和静电微镜,目前都已经达到了成熟量产。并且在美国,日本,欧洲都有大厂在持续开发,由于底层技术原理的不同,应用场景不同,并不能简单的说哪一种技术比另一种技术全面优越。具体问题,具体场景,具体分析。

中科融合针对机器人视觉引导,缺陷检测,以及未来激光雷达等场景,目前主要集中开发大口径,高光功率的MEMS激光扫描微镜。可以看到,针对超过1mm的大口径微镜,电磁驱动是主流的技术。

根据微振镜的镜面大小,应用场景,驱动方式,工艺制造的分类标题

大口径电磁微镜的主要优势,是面积越大,磁通量越大,从而驱动力越强。因此电压和电流都非常小,驱动效率很高。同时,面积越大,可以使用高功率大光斑尺寸的激光光源,实现高亮度,这在3D视觉和激光雷达场景,是核心技术指标。微振镜的运动,基本可以等效为一个弹簧阻尼系统。微镜的转动惯量正比于镜面直径的四次方,因此镜面越大,体积越大,质量越大,质量和转动惯量越大,为了达到足够的工作频率所需的弹簧系数越大,越难以驱动。如果实现相同的驱动力,静电驱动,需要大幅度提升驱动电压到100V以上,同时需要设计复杂的梳齿结构,提升电容的面积,造成了生产工艺的复杂和良率的下降。

DMD芯片的MEMS驱动原理和技术挑战

DMD芯片采用静电驱动方式,因此所有的高电压,复杂结构的难题和挑战,完全适用于DMD芯片。如下图所示,DMD的控制电压都在10-20V以上,并且需要负电压,通过接近35V的高压差进行控制,并且对于高压需要专用的电压管理芯片处理。

标题DLP471TE芯片的推荐电压,注意Voffset,Vreset和Vbias三个DMD控制电压大小

高压就高压呗,只要可以有专用的电源管理芯片,不是非常成熟的技术吗?然而,正是由于这个高压的需要,导致DMD芯片的像素尺寸非常难以缩小,从发明时候的19um的像素尺寸,经过36年的发展,仅仅做到了5.4um,也就是不到4倍的微缩。而同期的集成电路,已经从数百微米做到了5nm,实现了10000倍以上的微缩。

是什么限制了DMD芯片可以做的更小?

标题单个DMD微镜的结构爆炸视图(左图)和微镜控制的等效电路原理框图(右图)

针对DMD的单个像素与底层的驱动电路,在上图进行一个结构和原理拆解分析,可以发现这样几个有趣的结论。

  • 由于DMD芯片需要一个完整的反射镜阵列,因此每一个像素,必须需要一个独立的驱动单元,用来寻址。这个单元既需要提供图像控制信息,亮或者暗,也需要提供静电驱动的电压能力,几十伏的电压!
  • 完成寻址和驱动,是为每一个DMD微镜,提供了一个专用的SRAM单元。SRAM是集成电路最成熟的基本电路单元,SRAM阵列是集成电路信息存储的成熟模块,同时其开关速度极快,也非常适合同步控制数百万微镜,以及通过占空比控制光学强弱;
  • 然而,SRAM的基本单元是CMOS晶体管。高压承受力非常有限!集成电路的微缩历史,或者说知名的摩尔定律,晶体管尺寸的变小是结果。背后的核心,是constant field scaling,也就是通过同时微缩晶体管尺寸(L、W),氧化层厚度(Tox),控制电压(Vdd)等多个参数,保持对于沟道(channel)的控制。如果要使用10V以上的电压,基本上需要非常特殊的高压晶体管,而这种晶体管,小不了。

除了控制电路的SRAM单元,微缩非常困难。另一个困难,来自于实现数百万微镜的工艺良率挑战。一个DLP芯片,是由多个DMD微镜芯片的像素组成,DMD像素的分辨率,就是微镜在平面内的阵列分布,1080P的分辨率,就是由水平和垂直方向的1920和1080个像素组成,如图所示,为一个正常和异常微镜的阵列显微镜照片。

左图为一个工作良好的微镜阵列,右图为出现工艺瑕疵,导致相邻两个像素无法运动的失效DMD芯片标题

DLP芯片的一个重大技术挑战,就是对于工艺的一致性要求非常高。如果出现工艺瑕疵,直接的后果就是出现坏像素点,并且无法使用。图中的坏像素点产生主要来自刻蚀过程的缺陷,导致两个像素相连,无法分开。

总结

本文从中学物理的洛伦兹力和库仑力讲起,介绍了MEMS微镜技术,是如何基于这两种基本物理现象,实现驱动。同时也分析了电磁微镜和静电微镜相比,为何中科融合采用了电磁路线,以及在中科融合的主要业务领域,采用这一技术的优势。在这一基础上,我们进一步分析了为何DLP技术,与MEMS微镜技术相比,由于寻址SRAM单元和静电高压需要,非常难以做小。以及,由于上百万微镜的复杂单元结构,非常难以做好。本文引用了TI的公开文章,技术手册,以及UCLA Patterson等人的技术综述文献。

在这个系列中,我们专注于分析德州仪器公司,如何在DLP芯片技术领域实现了突破,产业成功,以及持续发展碰到的潜在挑战和困难。中科融合是站在巨人的肩膀上,痛点就是机会点,因此我们也简要讲述了MEMS微镜技术的原理,与DMD技术的不同和针对特定场景的独有优势。

接下来,我们将另起一个系列。从应用场景聊起,谈谈现在,看看我们这4年的摸爬滚打,如何逐步实现了对于DLP芯片在机器人视觉引导,缺陷检测,智慧医疗领域的国产替代。谈谈未来,畅想结合AI的新机遇,如何在智能物联网时代,机器换人,智能驾驶,混合现实多个领域,开拓一片新天地。

后记

这篇文章难产了,因为两周来需要处理很多突发情况,写作的思路和时间被打得稀碎,心境如怒海小舟,起伏不定。主要,和国家体制机制的一些变动有关。大时代和小人物往往是交相呼应,我们前行的困境,也是这时代国家,企业家,科学家,投资者,从业者共同的困境。

技术和产品并不是最难的,市场和体制,才是最大的不确定性。而往往这些都是最繁琐和折磨的部分,所以小胖常会思念,专一做最牛X的技术的时光,看到这两张有意思的照片,也不禁心生感慨。

早在2016年,openAI还仅仅是一个不知名非盈利组织,是地表最佳技术企业家老马对于未来的布局。全世界最牛的算力创造者,NVDIA老黄就主动捐献了他的第一台DGX超级AI算力服务器。老黄亲笔签名写到“To Ellon & the openAI team: To the future of computing and humanity. I present you the world’s first DGX-1”。

 羡慕他们,但所有的一鸣惊人,必定来自于初心,来自于团队的勇气,智慧和拼搏。时间的流沙中,世界要选边站,我希望和我的家人,民族,朋友们站在一起。

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