过流保护电路是指当后级负载电流过大或者发生短路时，自动切断电源与后级负载，从而防止大电流损害电源电路，过流保护又叫OCP。

        常见的过流保护电路有保险丝过流保护，集成的过流保护芯片，还有这种分立器件搭建的过流保护电路。

        这个分立器件搭建的过流保护电路主要包含一个三极管，一个MOS管和一个电流采样电阻。电流从电源正极流出，经过负载，然后经过MOS管，最后经过采样电阻流入电源负极。

        当后级负载电流比较小时，MOS管正常打开，由于电流比较小，采样电阻上的压降也比较小，小于三极管的开启电压，这时NPN三极管是截止状态，MOS管的栅极是高电平，（MOS管正常打开）。

        这时MOS管DS间的压降我们记作Vds，采样电阻上的压降计为Vr，则电容右端的电压为Vr+Vds，电容左端的电压就为Vr，假设后级负载为纯阻性负载。

        当后级负载电流增大时，流过采样电阻的电流增大，采样电阻上的压降也会增大，当采样电阻的压降大于等于三极管BE间的开启电压时，三极管会饱和导通，这时MOS管的栅极电压接近0V。MOS管关闭。

        由于电容两端电压不能突变，MOS管关闭后电容C1右边电压为VCC，则电容左边电压变成了VCC-Vds，这个VDS是MOS管导通时漏源间的电压差。这时电容C通过三极管基极的电阻放电，以维持三极管饱和导通所需要的电流。

当电容左端的电压放电到小于三极管的开启电压时，三极管截止，这时MOS管的栅极电压又变成了高电平，MOS管又导通（，MOS管导通的瞬间，流过采样电阻的电流还是比较小的，采样电阻的压降接近0，（也就是电容A端电压接近0V））。

        当MOS完全导通后，由于负载电流还是比较大，采样电阻上的压降又会大于三极管的开启电压，并且通过二极管给电容充电，这时电容充电非常快。当采样电阻上的电压大于三极管的开启电压时，三极管又会饱和导通，然后MOS管又会关闭。

        由于三极管基极电阻的存在，可以使电容的充电时间远小于放电时间，所以在过流保护时，MOS管并不是一直关闭的，而是一直在关闭与开启之间切换。

        电路设计时我们希望，过流保护时，MOS管开启时间尽可能小于关断时间，这时我们可以适当增大三极管基极电阻和电容C1

        这个过流保护电路过流点电流I≈0.7/R1,但是一般三极管BE间电压达到0.6V左右基本就开始导通了。