1 二极管

2 CMOS

2.1 栅极、源极、漏极

2.2 内部结构

2.2 导电原理

- 原理：1.通过门级和衬底加一个垂直电场Ev，从而在两口井之间形成反形层2.如果加的电场足够强，反形层就可以把source（源极）和drain（漏极）这两口井连接起来 3.在source和drain之间加入电场就导通了4.垂直电场越大，形成的沟道（反形层）就越宽，导电能力就越强，漏源之间的电阻就越小

2.3PMOS和NMOS

NMOS特性分析

• 当V_GS <V_TH，没有垂直电场，相当于电阻很大，不管横向电场如何，没有导通
• 当V_GS ≥V_TH
  • 当V_GS 保持不变，V_DS越大电流就越大，知道达到饱和区（saturation），缓慢增加
  • 当V_DS保持不变，V_GS 越大，相当于沟道越宽，漏源极之前电阻越小，电流就越大
• 由于随着V_DS的增大，沟道会斜上去，进一步导致夹断形成饱和区

CMOS反相器

• 需求：设计反相器
  
• 实现：
  
• 将上面的图重合，可以得到V_in与V_out的工作曲线
  
• 将上面的图重合，得到电流曲线
  
• [A.B],[C,D]区间只有一个管子导通
• [B,C]区域切换导通和截止

参考文献：
https://www.bilibili.com/video/BV11v4y1c7Xf/?spm_id_from=333.337.search-card.all.click&vd_source=40a11cc6d967bc17d5d770e1e50e743d