MOS管介绍
MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。 一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
记住 MOS管有 三个引脚名称：G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。
场效应管与MOS管关系
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。它是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
场效应管主要有两种类型：
1、结型场效应管（junction FET—JFET)（不是本文讨论范围）。
2、金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）（本文的主角）。
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MOS管分类
按沟道分类，场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管。
按材料分类，可以分为分为耗尽型和增强型：
增强型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流也为零； 耗尽型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流不为零。
所以一共可以分为四类：增强型 PMOS，增强型 NMOS，耗尽型 PMOS，耗尽型 NMOS。
MOS管常见封装
1、SOT-23
2. TO-252
3.TO-220/220F
MOS管判别
NMOS管箭头向内，PMOS管箭头向外
以下图封装的MOS管为例说明，除了SOT-23 封装，只要是这种类型3脚的封装，
那么他的G、D、S一定是按照上图所示的方向定义的（有错误请指出）
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G极(gate)—栅极，不用说比较好认
S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是
D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边
导通条件
- NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
- PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
- NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；
- PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5~-10V（S电位比G电位高）。
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