没错，这一篇还是备忘录，复杂的东西一律不讨论。主要讨论增强型的PMOS与NMOS。

PMOS

首先上场的是PMOS,它的导通条件：Vg-Vs<0且|Vg-Vs|>=Vgsth，PMOS的电流流向是S->D,D端接负载，S端接受控电源。MOS管一般无法被单片机io口直接驱动，需要配套的外围电路实现逻辑控制，如下图所示：

假设IO口输出低电平，三极管Q2截止，MOS管G极的电压为12v,此时Vg=Vs不满足导通条件，MOS管也进入截止状态相当于开关断开，LED熄灭。

反之，当IO口输出高电平时，LED1点亮。当然MOS管肯定也不止点灯这点能耐，它和三极管都可以作为开关管但又各有千秋，两个东西“杂交“还能生出IGBT（这一段不严谨，就当小学科普小品文看吧。）

NMOS

不同于P沟道MOS管，N管的电流流向是D->S,导通条件是Ugs>Uth，这个电路表现为G极接到
低电平导通，S极负责逻辑控制（需要负载R4）。典型应用电路如下图所示：

注意泄放电阻R3虽然有把G极电平准确拉低的作用，但是也会影响MOS管的开关响应速度，这里点灯可能没感觉但是涉及到电机可就影响极大了，不过我也没本事细讲，总之看个乐呵。