0.前言

本系列是Autosar存储入门系列，希望能从学习者的角度把存储相关的知识点梳理一遍，这个过程中如果大家觉得有讲得不对或者不够清晰的地方，还请一定指出来，一起探讨，加深学习。

另外根据本人多年的开发经验，做了一些AutosarMCAL配置，通信，诊断，模式管理等实战总结，如果您有需求可以参见AutoSar 实战进阶系列专栏，快速链接：AutoSar实战进阶系列导读

本篇介绍一下Autosar中NVM存储的CRC校验及同步机制，基本框架如下：

1. NVM中CRC校验

对于NVM中各Blcok存储的基本内容分为三部分：Block Header + Block Data + CRC Data，其中Block Header（Block ID,size等信息）及CRC校验信息为可配置内容。

在NVM读写时会对CRC进行校验：
在读取时如CRC校验不过，会采用默认值，如无特殊默认值将默认为0；
如在写入时CRC校验一致即认为需要存入NVM的数据没有发生改变，则跳过写操作请求，CRC校验不一致则将数据及CRC一起写入DFLASH中，该CRC值将参与下一轮比较。

在NVM模块配置时，如选择CRC校验，则还需要选择校验的类型：

2. NVM的显隐式同步机制

在访问NvM Blcok对应的RAM数据时，根据访问方式的不同可支持两种类型的同步机制：
隐式同步（Implicit synchronization）
显示同步（Explicit synchronization）

2.1 隐式同步

在隐式同步中，Application和NvM可以同时访问公共RAM块。应用程序通过调用NvM API将数据写入RAM或从RAM读取数据。

在这种情况下，一个NvM Block的 RAM 块被映射到一个SW-C，不推荐共享RAM。此外，为了保证数据的一致性，当SWC调用NVRAM接口进行读写操作时，SWC不能改变RAM中的值，直到NvM完成正在进行的操作，在此期间，应用程序可以使用轮询来获取请求NVM的状态，也可以通过回调函数异步通知。

适用场景：适用于下电写的Block，即在程序RUN的过程中不存，下电前将RAM中最后的值存进去。

2.2 显式同步

在显示同步中，NVM会再定义一个RAM Mirror与应用层进行数据交换，App在调用NVM实时写接口时将应用层RAM数据写到RAM Mirror中，应用层可以随意更改应用层RAM，仅需要在发起写入请求时，将应用层RAM拷贝到RAM Mirror中即可修改应用层RAM而无需等待NVM读写完成。

与隐式同步相比，在显式同步中，应用层RAM可以由多SWC共享，缺点同样由于增加了RAM Mirror会增加Ram资源的消耗量。
适用场景：适用于实时存储的Block，应用层可以更新RAM Block中的值，等上一轮写完再调用NVM接口进行写入。