BUCK电路布线规则、EMI分析

电源系列文章目录

本系列文章为博主在学习工作过程中的心得记录，欢迎评论区交流讨论。

开关电源至今，电路已经相当简洁，仅由芯片、电感、肖特基、电容、电阻等几个器件就能组成功能强大的电路。我们很多工程师在实际应用时或多或少吃过亏，明明按照原厂提供的电路去制作产品，但还是会出现各种各样的问题。通常情况下，多是由于前期绘制 PCB时，没有设计好开关电源布线回路导致，下面对BUCK电路布线设计，EMI整改进行讲解。

对于开关电源来说，输入端通常采用电解电容与陶瓷电容组合使用（主要是经济实惠），电容具有储能与滤波作用，电解电容给芯片提供瞬态电流，确保输入端电压不出现较大波动，陶瓷电容用来滤除输入端高频毛刺电压，给芯片内部逻辑电路提供纯净电源。
因此在布局过程中，摆放好 IC 的位置后，就应该确定陶瓷电容的位置，使陶瓷电容靠近芯片的 VIN 与GND 引脚；并且注意避免通过过孔进行连接，因为过孔会产生寄生电感，严重影响陶瓷电容滤波效果。
对于降压电源来说，输入端电流为不连续电流，根据公式 $V = L * d i / d t$ 可知，变化的电流会在寄生电感上产生毛刺电压，若处理不好，此毛刺电压会影响系统稳定性，并导致 IC 失效。
在使用条件不变的情况下， $d i / d t$ 基本不会变化，只好通过降低开关电流回路上的寄生电感来降低此毛刺电压。要降低寄生电感，就要降低电流回路长度，缩短开关电流回路长度的方法是，将输入端电解电容靠近芯片的 VIN 和肖特基的阳极，芯片的 SW 引脚靠近肖特基的阴极，如下图所示。这样最大限度的降低其寄生电感，减少毛刺电压，提高系统稳定性，并可以降低辐射 EMI。

为减少系统回路上噪声和电磁辐射，不仅要减少开关电流回路长度，还要缩短大电流回路，并且大电流走线要采用敷铜处理，敷铜不要有锐角，尽量少打弯，尽量不换层，若走线必须得换层处理，需要适当增加过孔数量，这样可以减少过孔带来的寄生电感。
可以将电感靠近芯片 SW，输出电容靠近电感和肖特基阳极，如下图所示。若输出电容位置不当，会导致输出电压不稳。

系统回路中反馈走线也很重要，FB 引脚负责调整，稳定输出电压，CS 引脚负责调整，稳定输出电流，为防止反馈引脚捡取到电路上噪声，应尽可能减小 FB 与 CS 引脚节点布线长度。
针对 FB 节点，需要让分压电阻靠近芯片的 FB 与 GND 引脚，针对 CS 节点，可以在靠近芯片 CS 引脚处串联 1K 电阻，滤除干扰；并且反馈走线要远离电感，肖特基，SW等开关节点，同时用 GND 走线包围最佳。

开关电源与 LDO 相比，具有效率高、体积小、可升压等显著优点，但是开关电源在工作时，会对外产生电磁辐射，若辐射过大，则会对周围器件造成严重影响，导致系统不能稳定工作。
要实现抑制电源对外的电磁辐射，首先应明确电磁辐射产生的机理与源头。开关电源是通过功率管打开时给电感充电，电感储能；功率管断开时，电感释放能量，实现电压变换。
由于功率管、续流二极管不断的打开与关断，造成电流不连续，此变化电流会产生尖峰电压（由 $V = L * d i / d t$ 可以推导出，尖峰电压等于电流回路中的寄生电感乘以电流变化率，L 是开关电流回路的寄生电感），此尖峰电压会产生较大的电磁干扰，可以通过抑制此尖峰电压来降低电磁干扰。
通常可以通过以下几种方法来降低开关电源对外产生的电磁干扰。

BUCK 拓扑电流回路图，以系统工作在连续状态下为例。
BUCK拓扑回路电流

由上图可知，当功率管 Q1 打开时，电流回路是 CIN->Q1->L1->COUT；当 Q1 闭合时，电流回路是L1->COUT->D1；不论功率管 Q1 打开还是关断，电流均流过 L1 和 COUT，表明流过L1 和 COUT 处电流是连续电流，流过CIN、Q1、D1的电流是开关电流，开关电流会在寄生电感上产生毛刺电压，对外辐射电磁波。
由 $V = L * d i / d t$ 可知，在 $d i / d t$ 不变的条件下，可以通过缩短 CIN、Q1、D1 的电流回路，来减少开关电流回路的寄生参数，从而实现降低系统产生的电磁辐射。

降低开关电流变化率（即降低 $d i / d t$ 的值），首先在使用条件不变的情况下，电流的变化量基本不会变化，只好通过延长电流的变化时间来降低 $d i / d t$ 的值。
可以通过使用开关速度稍慢的二极管来降低 D1 回路电流变化率，但是使用开关速度稍慢的超快恢复二极管，会导致二极管的损耗增大，不仅会影响效率，还会导致二极管温度过高，反向漏电流增大，影响系统稳定性，需要根据工程情况进行适当的取舍。

参考下图，肖特基本身具有寄生电容，回路上还存在寄生电感；开关电流会流过肖特基 D1，寄生的电感、电容会产生振铃，若振荡频率超过 30MHz，进入辐射测试频率段，则会被测试仪器捕捉到。
我们可以通过在肖特基处串联磁珠来滤除高频信号，降低高频信号对外电磁辐射能量。但是肖特基上串联磁珠，会产生较大负向尖峰电压，需要控制输入电压与尖峰电压绝对值之和小于芯片的耐压，确保系统稳定性。
我们常用的贴片式磁珠材料主要是有磁粉、镍、银浆三大部分组成，其在高频条件下具有相当大的阻抗，可以吸收高频信号（通常 30MHz 以上为高频）。

在无法进一步降低系统自生的干扰时，可以通过外加器件来进一步抑制；在芯片SW与GND之间并联RC吸收电路不仅可以吸收寄生参数产生的毛刺电压，也可以改变谐振频率，从而实现抑制电磁辐射。
通常上述两种方案串磁珠和增加RC吸收电路在组合使用时，抑制效果较佳。相应的电路图如下图所示：

辐射测试点频率段一般为30Mhz到1000Mhz，此频率段对应的波长是0.3米到10米，如果要发射一定波长的电磁波，需要一根发射天线，成为天线的必要条件是长度至少要大于波长的二十分之一，当天线是电磁波半波长的整数倍时，发射功率最大。
通常输出端的电源线比较长，有可能成为对外发射电磁波的天线，可以通过在系统输出端串联共模电感（如下图所示），滤除共模信号来抑制辐射，但同时共模电感又具有体积大、成本高、不易加工等缺点，不适合应用于小体积、低成本方案，需要根据实际情况来进行取舍。