NAND闪存原厂铠侠Kioxia拟趁着半导体市场回暖及企业财务状况显著提升的契机,加速推进其上市进程。
据报道,公司计划最快于8月底提交IPO申请,目标是在2024年10月末于东京证券交易所完成首次公开募股。此番上市动作不仅反映出市场复苏迹象,还体现了大股东贝恩资本意欲借此机会减持股份、回收资金的策略。
Kioxia原定2020年的上市计划因外部经济环境与行业挑战而搁置,当前重启IPO的决定,或预示着市场对其业务展望的信心增强。近期财报显示,Kioxia在今年第一季度扭亏为盈,实现103亿日元的净利,终结了连续六个季度的亏损状态。这主要归功于整个NAND行业减产调控带来的价格回升,以及市场需求特别是智能手机、个人电脑及数据中心领域订单的复苏。
从技术发展趋势看,Kioxia对未来寄予厚望,着重提及了几个关键驱动因素:一是设备端人工智能(On-Device AI)的普及,这将直接提升对高性能存储的需求;
二是存储容量的持续增长需求,特别是在移动设备和PC领域;
三是预期中的PC操作系统升级,可能激发大规模的硬件更新换代需求。
这些因素综合预示着存储市场的强劲需求潜力,也为Kioxia的IPO估值及后续市场表现提供了乐观的前景支撑。
尽管如此,Kioxia的IPO规模及估值可能较2020年规划时有所下调,反映出市场对于未来不确定性仍保持审慎态度。整体而言,Kioxia的IPO动向不仅是企业融资战略的体现,也是观察全球半导体行业,尤其是存储细分市场复苏态势的一个重要窗口。
此外,在存储行业复苏之际,铠侠(Kioxia)结束了生产削减,并于上周公布了其3D NAND技术路线图的雄心壮志。据PC Watch和Blocks & Files报道,铠侠表示,到2027年实现1000层的NAND技术是可行的。
过去几年间,3D NAND的层数从2014年的24层增长至2022年的238层,八年时间内实现了十倍的增长。铠侠预计,若保持每年约1.33倍的增速,到2027年达到1000层将是可达成的目标。这一速度超过了三星的公开计划——三星虽也提出了超过1000层NAND芯片的目标,但时间框架设定在了2030年,且计划通过采用新型铁电材料来实现这一技术突破。