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90nm 及以下的工艺都要求储存器，IP，IO 的多晶硅方向必须和标准单元的多晶
硅方向保持一致，无法像过去工艺一样随意旋转方向。在 22nm 及以下的先进工艺中
使用了 FinFET 技术，要求所有的元件（包括宏单元）都要对齐到 FinFET 网格（如
图 3.7 所示）上。TSMC 12nm 中 FinFET 网格的间隔是 0.048um，因此宏单元的下边
界离模块下边界必须为 0.048um 的整数倍才能保证在 FinFET 网格上。
