在功率放大电路中,功放管既要流过大电流,又要承受高电压。例如,在 OCL 电路中,只有功放管满足式(9.2.13)所示极限值的要求,电路才能正常工作。因此,所谓功率放大电路的安全运行,就是要保证功放管安全工作。在实用电路中,常加保护措施,以防止功放管过电压、过电流和过功耗。
一、功放管的二次击穿
从晶体管的输出特性可知,对于某一条输出特性曲线,当 c - e 之间电压增大到一定数值时,晶体管将产生击穿现象;而且, I B I_{B} IB 愈大,击穿电压愈低,称这种击穿为 “一次击穿”。晶体管在一次击穿后,集电极电流会骤然增大,若不加以限制,则晶体管的工作点变化到临界点 A A A 时,工作点将以毫秒甚至微秒级的高速度从 A A A 点到 B B B 点,此时电流猛增,而管压降却减小,如图9.3.1(a)所示,称为 “二次击穿”。晶体管经二次击穿后,性能将明显下降,甚至造成永久性损坏。
I B I_B IB 不同时二次击穿的临界点不同,将它们连接起来,变得到二次击穿的临界区县,简称为 S/B \textrm {S/B} S/B 曲线,如图(b)所画。从二次击穿产生的过程可知,防止晶体管的一次击穿,并限制其集电极电流,就可避免二次击穿。例如,在功放管的 c - e 间加稳压管,就可防止其一次击穿。
二、功放管的散热问题
功放管损坏的重要原因是其实际耗散功率超过额定数值 P C M P_{CM} PCM。而晶体管的耗散功率取决于管子内部的 PN \textrm{PN} PN 结(主要是集电结)温度 T j T_j Tj。当 T j T_j Tj 超过允许值后,集电极电流将急剧增大而烧坏管子。硅管的结温允许值为 120 ∼ 180 ℃ 120\sim180\,℃ 120∼180℃,锗管的结温允许值为 85 ℃ 85\,℃ 85℃ 左右。耗散功率等于结温在允许值时集电极电流与管压降之积。管子的功耗愈大,结温愈高。因而改善功放管的散热条件,可以在同样的结温下提高集电极最大耗散功率 P C M P_{CM} PCM,也就可以提高输出功率。
1、热阻的概念
热在物体中传导时所受到的阻力用 “热阻” 来表示。当晶体管集电结消耗功率时, PN \textrm {PN} PN 结产生温升,热量从管芯向外传递。设结温为 T j T_j Tj,环境温度为 T a T_a Ta,则温差 Δ T ( = T j − T a ) \Delta T(=T_j-T_a) ΔT(=Tj−Ta) 与集电结耗散功率 P C P_C PC 成正比,比例系数称为热阻 R T R_T RT,即 Δ T = T j − T a = P C R T ( 9.3.1 ) \Delta T=T_j-T_a=P_CR_T\kern 40pt(9.3.1) ΔT=Tj−Ta=PCRT(9.3.1)可见,热阻 R T \pmb{R_T} RT 是传递单位功率时所产生的温差,单位为 ℃ / W ℃/\textrm W ℃/W。 R T R_T RT 愈大,表明相同温差下能够散发的热能愈小。换言之, R T R_T RT 愈大,表明同样的功耗下结温升愈大。可见,热阻是衡量晶体管散热能力的一个重要参数。
当晶体管结温功耗达到最大允许值 T j M T_{jM} TjM 时,集电结功耗也达到 P C M P_{CM} PCM,若环境温度为 T a T_a Ta,则 Δ T = T j M − T a = P C M R T \Delta T=T_{jM}-T_a=P_{CM}R_T ΔT=TjM−Ta=PCMRT P C M = T j M − T a R T ( 9.3.2 ) P_{CM}=\frac{T_{jM}-T_a}{R_T}\kern 20pt(9.3.2) PCM=RTTjM−Ta(9.3.2)式(9.3.2)中,若管子型号确定,则 T j M T_{jM} TjM 也就确定。 T a T_a Ta 常以 25 ℃ 25\,℃ 25℃ 为基准,因而若要增大 P C M P_{CM} PCM,必须减小 R T R_T RT。
2、热阻的估算
以晶体管为例,管芯(J)向环境(A)散热的途径有两条:管芯(J)到外壳(C),再经外壳到环境;或者管芯(J)到外壳(C),再经散热片(S)到环境。即 J → C → A \textrm J\rightarrow \textrm C\rightarrow\textrm A J→C→A 或 J → C → S → A \textrm J \rightarrow \textrm C\rightarrow\textrm S\rightarrow\textrm A J→C→S→A,如图9.3.2(a)所示。设 J - C \textrm {J - C} J - C 间热阻为 R j c R_{jc} Rjc, C - A \textrm{C - A} C - A 间热阻为 R c a R_{ca} Rca, C - S \textrm {C - S} C - S 间热阻为 R c s R_{cs} Rcs, S - A \textrm{S - A} S - A 间热阻为 R s a R_{sa} Rsa,则反映晶体管散热情况的热阻模型如图(b)所示。
在小功率放大电路中,放大管一般不加散热器,故晶体管的等效热阻为 R T = R j c + R c a ( 9.3.3 ) R_T=R_{jc}+R_{ca}\kern 30pt(9.3.3) RT=Rjc+Rca(9.3.3)在大功率放大电路中,功放管一般均要加散热器,且 R c s + R s a < < R c a R_{cs}+R_{sa}<<R_{ca} Rcs+Rsa<<Rca,故 R T ≈ R j c + R c s + R s a ( 9.3.4 ) R_T\approx R_{jc}+R_{cs}+R_{sa}\kern 20pt(9.3.4) RT≈Rjc+Rcs+Rsa(9.3.4)不同型号的管子 R j c R_{jc} Rjc 不同,如 3AD30 的 R j c R_{jc} Rjc 为 1 ℃ / W 1\,℃/\textrm W 1℃/W,而 3DG7 的 R j c R_{jc} Rjc 却大于 150 ℃ / W 150\,℃/\textrm W 150℃/W,可见其差别很大。 R c a R_{ca} Rca 与外壳所用材料和几何尺寸有关,如大功率管 3AD30 的 R c a R_{ca} Rca 为 30 ℃ / W 30\,℃/\textrm W 30℃/W,而小功率管 3DG7 的 R c a R_{ca} Rca 为 150 ℃ / W 150\, ℃/\textrm W 150℃/W。
式(9.3.4)中的 R c s R_{cs} Rcs 既取决于晶体管和散热器之间是否加绝缘层(如聚乙烯薄膜、 0.05 ∼ 0.1 mm 0.05\sim0.1\,\textrm{mm} 0.05∼0.1mm 的云母片),又取决于二者之间的接触面积和压紧程度。 R s a R_{sa} Rsa 与散热器所用材料及其表面积大小、厚薄、颜色,和散热片的安装位置等因素紧密相关。
3、功放管的散热器
两种散热器如图9.3.3所示。经验表明,当散热器垂直或水平放置时,有利于通风,故散热效果较好。散热器表面钝化涂黑,有利于热辐射,从而可以减小热阻。在产品手册中给出的最大集电极耗散功率是在指定散热器(材料、尺寸等)及一定环境温度下的允许值;若改善散热条件,如加大散热器、用电风扇强制风冷,则可获得更大一些的散热功率。