1、ROM和RAM:

半导体存储器，ROM（Read Only Memory），RAM（Random Access Memory）。ROM在停电时能够保持数据；RAM需要周期性刷新数据，掉电会丢失数据。

2、ROM大致可以分为：PROM（可编程ROM）、EPROM（可擦除、可编程ROM）、EEPROM。

3、RAM分为两大类：

（1）静态RAM（static RAM / SRAM），SRAM的速度是目前最快的存储设备。

（2）动态RAM（Dynamic RAM / DRAM），DRAM保存数据的时间短，需要进行周期性刷新操作。

DRAM有很多种类：常见的有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDR RAM、SGRAM、WRAM。

DDR RAM（Double Data Rate RAM）：也称DDR SDRAM，它和SDRAM基本一样，不同的是它可以在一个时钟周期读写两次数据。

SDRAM（Synchronous DRAM）：同步动态随机存储器，数据读写需要时钟同步。

4、Flash（闪存）：目前主要有NOR Flash和NAND Flash

（1）它结合了ROM和RAM的优点，具有电子可擦除、可编程（EEPROM）的性能，Flash不仅掉电不会丢失数据，还具有快速读取数据的优点。

（2）Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，它可以用于存储Bootloader和操作系统以及程序代码，应用程序可以直接在闪存中运行。

（3）采用并行接口，有独立的地址线和数据线。

（4）NAND采用的是串行接口，地址线和数据线是共用的I/O线。CPU从NAND读取数据的速度很慢，如果用NAND作闪存时，必须把数据从NAND读取到内存中，另外NAND Flash容易出现坏块。

（5）NOR Flash：可以直接运行装载在NOR Flash中的程序。

NOR Flash和NAND Flash的区别：

（1）类型：NOR Flash（或非）；NAND Flash（与非）

（2）接口：NOR Flash地址和数据总线分开；NAND Flash共用地址和数据总线

（3）读写单位：NOR Flash以字节为单位；NAND Flash以块/页为单位

（4）组成结构：NOR FLash，扇区、字节；NAND Flash，块、页

（5）擦除单位：NOR Flash，扇区；NAND Flash，块

（6）读写和擦除速度：NOR Flash的读写速度比NAND块，NAND Flash的写入和擦除速度比NOR Flash快。