PNP晶体管

1、概述

PNP 晶体管与我们在上一篇教程中看到的 NPN 晶体管器件完全相反。

在这种类型的 PNP 晶体管结构中，两个互连的二极管相对于之前的 NPN 晶体管是相反的。 这会产生正-负-正类型的配置，箭头也定义了 PNP 晶体管符号中指向内的发射极端子。

此外，PNP 晶体管的所有极性都是相反的，这意味着它会将电流“吸收”到其基极，而 NPN 晶体管则通过其基极“提供”电流。 两种类型晶体管的主要区别在于，空穴是PNP晶体管更重要的载流子，而电子是NPN晶体管的重要载流子。

然后，PNP晶体管使用小的基极电流和负基极电压来控制更大的发射极-集电极电流。 换句话说，对于 PNP 晶体管，发射极相对于基极以及集电极而言更为积极。

“PNP 晶体管”的结构由 N 型材料两侧的两个 P 型半导体材料组成，如下所示。

PNP晶体管结构

注：箭头定义了发射极和常规电流

NPN 晶体管的结构和端电压如上所示。 PNP 晶体管与其 NPN 双极型晶体管具有非常相似的特性，不同之处在于，对于前面文章双极晶体管中介绍的三种可能配置（共基极、共发射极和共基极）中的任何一个，电流和电压方向的极性（或偏置）是相反的。

基极和发射极之间的电压 ($V_{BE}$) 现在在基极为负，在发射极为正，因为对于 PNP 晶体管，基极端子相对于发射极始终偏置为负。

此外，发射极电源电压相对于集电极 ( V C E V_{CE}