根据韩国财经媒体Business Korea独家报道:在刚刚结束的VLSI 2024国际研讨会上,韩国半导体巨头SK Hynix公布了一项振奋人心的进展:其五层堆叠3D DRAM的制造良率已达到56.1%。此成果标志着3D DRAM技术在商业化道路上迈出了坚实的一步,预示着存储技术的重大变革即将到来。
SK Hynix也坦承,3D DRAM距离真正商业化还有长路要走。与成熟稳定的2D DRAM相比,3D DRAM目前展现出的性能特征尚不稳定,需要通过堆叠32至192层的存储单元来实现广泛应用所需的性能和容量。这意味着,提高堆叠层数的同时,还需克服工艺复杂性增加带来的技术难题,保证产品的可靠性和经济性。
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3D DRAM不仅是SK Hynix的重点研发领域,三星电子和美光科技等其他存储大厂也在这一赛道上加速前进。三星电子已成功实现了16层的3D DRAM堆叠,并计划在2030年前后实现大规模生产。美光则手握30项与3D DRAM相关的专利,寄望于技术突破,以期在未来无需依赖EUV(极紫外光刻)设备即可生产出超越现有产品的DRAM。
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当前,DRAM市场高度集中,三星电子、SK Hynix及美光科技三巨头合计占据了超过96%的市场份额。3D DRAM技术的突破性进展,不仅将推动存储密度和性能的大幅提升,还有望重塑市场格局,引发新一轮的竞争与合作。
随着技术的不断成熟,3D DRAM有望成为推动存储行业下一个增长周期的关键驱动力,为云计算、大数据、人工智能等领域提供更为强大、高效的存储解决方案。
SK Hynix的3D DRAM良率突破,不仅是公司技术实力的展现,更是整个存储行业向更高维度发展的强烈信号。未来几年,随着技术瓶颈的逐一突破,3D DRAM或将引领存储技术进入一个全新的时代。